導讀:
專利申請號:CN200580011849.8 公開號:CN101098954
申請日:2005.04.12 公開日:2008.01.02
申請人:美國高級技術材料公司
本發明所述為從具有離子注入光致抗蝕劑的半導體基片去除此類光致抗蝕劑的方法和組合物。該去除組合物含有供去除離子注入光致抗蝕劑所用的超臨界CO2(SCCO2)、共溶劑和還原劑。此類去除組合物克服了SCCO2作為去除試劑的固有缺陷,即SCCO2的非極性特性和與之相關的對存在于光致抗蝕劑中的、為有效清洗必須從半導體基片除去的物質不具有溶解能力,所述物質例如無機鹽和極性有機化合物。